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《半導體》環球晶提升技術量能自產碳化矽長晶爐設備

此外，碳化矽的長晶過程非常高溫，以傳統的矽可能溫度在1500度，但碳化矽的溫度可能會高達2500度，所以在長晶的過程中難度更高，也無法即時觀察晶體的生長 ...

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