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公告本院可運用之智慧財產權: 碳化矽晶體合成技術及產業化合作

一種坩堝，用於使一晶種藉由一材料源以長晶，該坩堝包括一成長室、一固持器、一反射裝置以及複數氣體導向裝置。固持器位於成長室之上方，用以固定晶種。反射裝置位於固持器 ...

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