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碳化矽長晶技術
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中山大學突破6吋晶體創全國學研單位之先 - 中央大學研發處
中山大學材料與光電科學學系教授兼國際長周明奇指出,晶體研究中心已成功長出6吋導電型N-type 4H碳化矽SiC單晶,中心厚度為19mm,邊緣約為14mm,生長速度 ...
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