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碳化矽長晶技術
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不導電間的的材料,第三代半導體為電動車的關鍵,概念股一次看
然而SiC基板長晶技術難度相當高,比方說當矽晶棒僅需3天就可以長出200公分高的晶棒,但SiC基板7天僅長出2~5公分。 技術難度高也代表生產成本提升,且沒有基板,就無法磊晶 ...
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