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碳化矽長晶技術
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中山大學6吋碳化矽單晶突破將技轉關鍵技術設備MIT | Anue鉅亨
周明奇說,晶體研究中心已成功長出6 吋導電型N-type 4H 碳化矽SiC 單晶,中心厚度為19mm,邊緣約為14mm,生長速度達 370um/hr,國內尚無其他研究單位或 ...
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