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第三代半導體-碳化矽功率半導體元件的崛起-工程技術

李教授的團隊克服碳化矽材料的缺點，也克服了4吋機臺在製程上的限制，成功地開發出1200 V碳化矽超接面金氧半場效電晶體。李教授的團隊也經過多次精密的 ...

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