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第三代半導體的明日之星-SiC碳化矽- 漢民科技

漢民SiC製程研發成果及挑戰. 漢民科技為了發展第三代半導體，成立SiC部門專責研發SiC技術，自行設計長晶爐(6''SiC Furnace)，經過2000℃-2500℃的長時間長晶(SiC Boule) ...

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