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5G功率元件用碳化矽基板簡介

這是最主流的製程方式。 2.高溫化學氣象沉積法（HTCVD）：把高純度的氣相矽源與碳源，通入高溫爐中進行反應，再將反應物帶入低溫區，再沿著碳化矽單晶 ...

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