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案號: 91100135

體裝置之材料之矽(Si)晶圓裝載於SiC(碳化矽)製等之縱 ... 倍之問題又因為設計規定微細化故於半導體製程 ... 1100 ℃以上,故於此種半導體裝置製程中使用SiC非常不.

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