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第三代半導體明日之星—碳化矽功率元件近況與展望

基於以上因素，碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)半導體材料在近十年 ... 最關鍵的製程是閘極氧化，要有適當的SiO2/SiC介面鈍化，以提高載子移動 ...

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