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單晶碳化矽在微電子及微感測元件之應用

因. 此在對碳化矽氧化層的蝕刻上可使用和蝕刻矽氧化. 層一樣的製程。 2. 離子摻雜. 因為在溫度1800 °C 以下，所摻雜之原子在碳.

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