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北美智權報第106期：氮化鎵晶背面蝕刻碳化矽的技術發展

本文闡述如何在碳化矽晶圓背面蝕刻出85μm直徑、100μm深孔的製程技術。 氮化鎵（GaN）的高崩潰電壓和高電子遷移率使其成為高功率元件應用上極具吸引力 ...

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