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碳化矽製程
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https://ndltd.ncl.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi/login?o=dnclcdr&s=id=%22097NCKU5159038%22.&searchmode=basic
以液相磊晶法製備單晶碳化矽的製程開發及生長機制的研究
有鑑於工業界缺乏可用的SiC 單晶基材,本研究欲首次使用液相生長法,加快SiC 磊晶的生長速度及降低其晶格的缺陷密度,製備SiC 單晶。液相的原子距離接近固體, ...
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