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4H型碳化矽溝槽式閘極金氧半場效功率電晶體之關鍵製程研究

局部氧化技術在矽基半導體製程上已相當成熟甚至已被部份取代，然而在碳化矽製程上卻少有進展，其主要原因在於碳化矽的氧化速率限制。但吾人已證實，若經由一道預非晶化 ...

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