其中,以目前正蓬勃發展的第三代半導體材料碳化矽(Silicon Carbide, SiC)為例,此材料 ... SiC的能隙為Si的3倍,使其可承受的電壓為Si的10倍,可承受溫度為3倍,因此在 ...
確定! 回上一頁