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碳化矽能隙
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功率半導體產業重返榮耀,聚焦IGBT與寬能隙材料 - 富聯網
所謂的寬能隙指的是包括由碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)兩種材料產生的半導體元件,相較於已發展逾50年的矽(Si)材料半導體元件,碳化矽(SiC)及氮化 ...
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