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碳化矽能隙
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中央大學攜手是德建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室
新興寬能隙材料(WBG)的出現,例如氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)等,以其高 ... 然而,相比傳統矽基的MOSFET或IGBT,寬能矽材料帶來的種種優勢也同時 ...
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