項目, SiC 碳化矽, GaN 氮化鎵. 磊晶製成技術, 同質磊晶, 異質磊晶. 電壓功率, 1200 V 以上, 900 V 以下. 能隙(註1 ), 3.2 eV, 3.4 eV.
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