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碳化矽能隙
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SiC、GaN 領跑,「寬能隙」全力衝刺功率半導體市場
以碳化矽 (SiC) 與 氮 化 鎵(GaN) 為主的寬能隙 (WBG) 功率元件,近年熱議不斷,兩者皆以「能源效率」著稱。前者勝在高壓,拜電動車 (EV) 之賜而聲名 ...
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