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碳化矽氮化鎵比較
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https://www.compoundsemiconductor.net/pdf/magazines/taiwan/CST_Issue1_2015_emag.pdf
更大的晶圓能夠大幅削減氮化鎵微波積體電路的成本
用不同的方式來比較GaN MMIC 的負擔能力。並以關鍵. 指標–RF輸出功率的每瓦成本(美元)–來進行判斷,. 在100mm的碳化矽(SiC)基板上製作的GaN HEMT已經.
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