表1 InP與其它半導體材料的各項特性比較. 材料, SiC, GaN, GaAs, InP, Si. 能隙(eV), 3.2, 3.39, 1.42, 1.3, 1.12. 電子遷移率(cm 2 /V‧s), 900, 1,000 ...
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