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碳化矽氮化鎵比較
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碳化矽氮化鎵主導,第三代半導體技術競爭白熱化- 頭條匯
而氮化鎵(GaN)由於其高電子遷移率和高電子飽和速度特性,適合高速和高功率元件,比較典型的應用場景是下一代無線通訊系統。SiC的性能使其在高於1200V的高電壓、大 ...
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