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碳化矽氮化鎵比較
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第三代半導體材料 - 漢民科技
第三代半導體材料的代表碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度、高頻特性表現 ... 不同半導體元件的工作頻率和最大功率的比較圖如下:.
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