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第三代半導體明日之星—碳化矽功率元件近況與展望

以SiC與GaN為材料的第三類半導體，相較於傳統Si基半導體元件，不僅能夠承受更高的功率、頻率及環境溫度，同時也擁有良好的散熱特性，因此在例如5G基地台、 ...

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