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碳化矽晶圓
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新電子 09月號/2019 第402期 - 第 31 頁 - Google 圖書結果
以及用於RF IC的矽鍺(SiGe)。而在主要市場中,元件製造的特徵尺寸範圍從180奈米以上到28奈米以下都有,採用的製程設備有用來處理8吋晶圓的舊設備, ...
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