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化合物半導體材料 - 磊拓科技股份有限公司

6H-SiC和4H-SiC最大的差異在於4H-SiC的電子遷移率是6H-SiC的兩倍，這是因為4H-SiC有較高的水平轴(a- axis)移動率。 ... 磊拓科技代理的高品質SiC單晶片具有高規格及品質穩定 ...

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