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5G功率元件用碳化矽基板簡介

而碳化矽（特別是4H-SiC)與氮化鎵的晶格常數與熱膨脹係數的差異只有3.5%與25%， 遠小於矽晶圓，因此碳化矽是較好的選擇。 在這應用的碳化矽基板晶體結構 ...

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