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第三代半導體材料趨勢及展望 - Tainergy

碳化矽 (SiC). 氮化鎵(GaN). 高壓功率元件. 高頻通訊元件. •又稱為Wide Band gap半導. 體，具有介於常規半導體和. 絕緣體之間的電子特性。 •應用在比 ...

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