碳化矽 (SiC)與氮化鎵(GaN)同屬第三代半導體材料,其材料特性相似,但應用領域略有不同。氮化鎵適用於中壓領域(100~650V)及高頻的產品,而碳化矽則可用於更高壓(>650V ...
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