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專利授權區 - 國立清華大學國際產學營運總中心

專利摘要(中). 本創作係為一種異質成長碳化矽薄膜製程，藉由射頻感應加熱化學氣相沉積法，於P型(100)矽基板上成長立方晶型碳化矽(3C-SiC)薄膜，此一製程方法為連續升溫 ...

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