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TWI621219B - 磊晶用碳化矽基板及半導體晶片 - Google Patents

碳化矽基板 的頂部設置有一氮化鎵磊晶層以構成該半導體晶片。 ... 本實施例中係以多腔體電漿蝕刻系統進行第二階段的乾蝕刻製程，以在該碳化矽基材100上形成該表面122及 ...

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