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行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告

一、氮化鎵長在碳化矽(GAN ON SIC)前晶粒製程技術背景介紹. 25. 二、背穿孔製程綜述. ... 圖九(a)研磨壓力(b)研磨速度(c)研磨液的濃度和SiC 基板去除. 率的關係圖.

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