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砷化鎵氮化鎵
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http://www.naipo.com/Portals/1/web_tw/Knowledge_Center/Research_Development/publish-59.htm
北美智權報第106期:氮化鎵晶背面蝕刻碳化矽的技術發展
氮化鎵 (GaN)的高崩潰電壓和高電子遷移率使其成為高功率元件應用上極具吸引力的材料。氮化鎵通常在碳化矽(SiC)晶圓上成長,因此,需在碳化矽晶圓的背面 ...
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