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何謂碳化矽﹙Silicon Carbide﹚

重點: · Si和C以1對1比例結合之IV-IV群化合物半導體 · 以Si和C之原子對作為單位層的最緊密填充構造 · 有各種晶型存在，功率元件以4H-SiC最為適合 · 結合力極強 ...

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