近幾年來有許多從事於寬能隙半導體材料的研究,其. 中碳化矽(SiC,Eg=2.4eV)、氮化鎵(GaN,Eg=3.4eV)[1-2]、 ... 且間接能隙材料應用在光電材料會有功率衰退太快,元件.
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