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矽能隙
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第1 章(1.7~1.12) 電子學與半導體
半導體的基本性質,特別是矽半導體,目前大 ... 能隙,矽材料為1.12eV (電子伏特) ... 圖1.32: 在矽晶棒中建立一電場E,會使電洞沿著E 的方向漂移,.
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