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矽能隙
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行進中的寬能隙半導體|電子產業供應鏈上游材料 - IEK產業情報網
相比第一代與第二代半導體材料,第三代半導體材料,又稱寬能隙半導體具有較大能隙(能隙> 2.2eV)而名為寬能隙(WBG)半導體,主要包括碳化矽(SiC)、氮化鋁(AlN)、氮 ...
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「矽能隙」
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鍺的能隙
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