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矽能隙大小
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比GaN與SiC更寬能隙的半導體材料即將出現如何選 - iST宜特
傳統的矽(Si)材料能隙約在1eV,而目前手持式行動裝置或車用快充,分別使用的第三類半導體為氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC),其能隙則在3eV左右,約為Si 的三倍 ...
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