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IEMN 顯示在ALLOS 的新矽上氮化鎵磊晶圓上超過1400V 的電壓

由法國IEMN 研究中心Farid Medjdoub 博士所組成的研究團隊，運用了德國ALLOS Semiconductors 所提供的兩種不同矽上氮化鎵磊晶圓來製作裝置並進行量測。

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