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矽磊晶
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基板(Substrate):在黑盒子中製造長晶,難度最高
磊晶 (Epitaxy):碳化矽基氮化鎵,被視為未來主流. 磊晶是指透過在原有的基板上,長出薄薄一層結晶,以達到強化工作效能的目標。
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