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磊晶表 - 政府研究資訊系統GRB

將以四階段碳化矽磊晶技術，在2cm x 2cm大小的Si(100)上，在C3H8-SiH4-H2以及CH4-SiH4-H2系統中，磊晶成長3C-SiC/Si(100)，並量測碳化矽材料內部結構及晶片的粗糙度。

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