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TWI396228B - 含有矽及碳之磊晶層的形成與處理

本發明的實施例主要涉及含矽和碳(Si：C)磊晶層的形成和處理。特定實施例係關於在半導體元件(例如金屬氧化物半導體場效應電晶體(metal oxide semiconductor field ...

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