由於上述所說的矽基板之晶格常數與SiNx之晶格常數差太多,所以. 先在矽基板上以1:24之SiH4對N2O的氣流比在HDP-CVD中沉積一層. 約200 nm之SiO2薄膜層,作用為SiNx薄膜層 ...
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