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第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析

SiC粉末內雜質會變成缺陷的起源點，所以需要極高純度以確保晶圓能維持較低的缺陷密度。除了晶圓成長參數控制外，上游原料SiC粉末的選用亦至關重要。對於 ...

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