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第三代半導體材料碳化矽發展趨勢研究

因而，具備了寬能隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場，以及高導熱特性的第三代半導體材料碳化矽(SiC)，在上述的需求中成為了替代矽在功率元件上的解決方案。

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