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CN102351173A - 一种大量制备高质量石墨烯的方法

此方法的优点：可以获得极高品质的石墨烯片；缺点：产量很低，成本非常高。 SiC外延生长法：是在真空中加热SiC晶体，当温度达到1200℃~1500℃时，C-Si键发生 ...

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