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深次微米矽製程技術 - 第 209 頁 - Google 圖書結果

表 5.5ECR 和射頻電漿的比較製程參數 ECR 電漿解離率高射頻電漿中低真空度(托爾) 105 ~ 10-3 102 ~ 1 電漿密度( cm ) 1011 ~ 1012 1010 游離率 10-3 ~ 10 - 1 106 ...

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