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TWI542741B - A method for preparing a single crystal crystal ...

本發明為一種用於成長多類型化合物之單晶晶體之製備方法，其功效在於可使晶體成長速率達300-600μm/ ... JP4818754B2 2011-11-16 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法.

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