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半導體製程用濕式化學品的發展趨勢 - 廠務123 分享區

利用氫氟酸來蝕刻二氧化矽層的機制中，決定蝕刻速率的是[HF2-]的濃度，若HF濃度保持固定且緩衝溶液中NH4F能提供大量的之F-，蝕刻速率就可保持穩定。同時 ...

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