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以溶膠凝膠法製備SiO2薄膜作TFT閘極絕緣層材料

本實驗是利用四乙矽酸(TEOS)以溶膠凝膠法(sol-gel)製備二氧化. 矽(SiO2) 作為絕緣層的介電材料，成膜方法是用旋轉塗佈法. (spin-coating)。

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